科学研究

北航国新院自旋芯片与技术全国重点实验室在非共线反铁磁自旋电子学领域取得重要突破

近日，北航自旋芯片与技术全国重点实验室赵巍胜教授、张悦教授团队在非共线反铁磁自旋电子学领域取得了重要突破。研究团队在高质量Mn₃Sn外延薄膜体系中首次发现了手性选择的非共线反铁磁态。通过群论分析、原子尺度第一性原理仿真、以及Dzyaloshinskii–Moriya相互作用（DMI）实验测量，团队系统揭示了矢量自旋手性（vector spin chirality）是实现拓扑存储的新关键物理量。该研究进一步发现，DMI效应能够有效调控矢量自旋手性，从而实现反常霍尔电导的完全反号转...

融智赋能，创领未来，第27届中国电子学会青年年会在北航杭州国际校园成功举办

秋意浅浅，桂影斜斜，10月24日至26日，第27届中国电子学会青年年会在北航杭州国际校园成功举办。本次大会由中国电子学会、北京航空航天大学联合主办，中国电子学会青年工作委员会、北航国新院、天目山实验室、北航集成电路科学与工程学院联合承办，无问芯穹智能科技有限公司协办。北航房建成院士，阿里云创始人、之江实验室主任王坚院士，清华大学胡事民院士，中国电子学会副理事长兼秘书长、总部党委书记陈英，工业和信息化部电子信息司副司长史惠康，中国电子学会副秘书长张毅以及杭州市经济和信息化局、杭州...

北航国新院自旋芯片与技术全国重点实验室揭示室温反铁磁隧穿新效应

近日，北航自旋芯片与技术全国重点实验室赵巍胜教授、张悦教授团队在非共线反铁磁自旋电子学领域取得重要进展。团队在高质量RuO2外延单晶薄膜体系中发现了各向异性的隧穿磁电阻效应，且通过X射线磁圆二色谱、X射线磁线性二色谱、交换偏置等证明了室温反铁磁性的存在。该工作发现了室温共线反铁磁的隧穿效应，证明了RuO2是实现磁性存储的可选材料，为理解反铁磁自旋相关现象提供了新思路。相关研究成果以“Giant Spin-flop magnetoresistance in a collinear ...

第一届杭州国际纳米电子学暑期学校成功举办

8月13日至15日，由北航国新院、北航自旋芯片与技术全国重点实验室联合主办，北航集成电路科学与工程学院大力支持的第一届杭州国际纳米电子学暑期学校（The 1st International Hangzhou Nanoelectronics Summer School）在北航杭州国际校园顺利举办。本次活动由北航副校长、北航自旋芯片与技术全国重点实验室主任赵巍胜，实验室首席科学家赵建华及实验室常务副主任林晓阳共同担任主席。开幕式上，北航校长助理、国新院院长董卓宁向来自全球各地的学者...