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赵巍胜博士，IEEEFellow，教授，现任北京航空航天大学副校长。2007年获得法国巴黎南大学物理学博士学位。2009年加入法国国家科学研究中心（CNRS），担任终身研究科学家。自2014年起任北京航空航天大学教授。赵巍胜教授长期从事自旋电子学、新型非易失存储器件、自旋芯片等领域的交叉研究，2013年归国后开展超低功耗自旋存储及逻辑相关研究，提出了将自旋轨道矩与自旋转移矩结合实现高速读写的新型自旋电子存储器件，研制了基于钨薄膜的超高隧穿磁阻效应隧道结器件，实现了反铁磁自旋存储器件的全电学读写，并成功研制出国际上首颗达到Mb存储容量的SOT-MRAM芯片。目前主持国家自然科学基金重点项目、国家重点研发计划等项目。近五年以第一或通讯作者在NatureElectronics、ProceedingsoftheIEEE、PRL、PNAS等高档次期刊及IEDM等顶级会议发表论文300余篇，其中ESI高被引论文15篇，总索引超过30000次，H因子超过90。

随着人工智能、大数据和物联网的快速发展，传统计算体系在存储速度、能耗及数据搬运效率等方面面临日益严峻的挑战。自旋电子学利用电子的“自旋”属性进行信息存储与处理，为发展新型电子器件、突破传统存储技术瓶颈提供了重要途径。本报告将从磁存储技术的发展历程出发，介绍巨磁阻、磁隧道结以及自旋转移矩、自旋轨道矩等基本概念，阐释信息如何借助电子自旋实现高效“读出”与“写入”。在此基础上，进一步介绍反铁磁自旋电子学、轨道电子学和多值存储等前沿方向，展示新材料、新结构与新物理机制如何推动磁存储技术向更高速、更低功耗和更高存储密度发展。最后，报告将结合新型计算体系的发展需求，展望自旋电子学在下一代非易失存储、存算一体以及人工智能芯片等领域的应用前景。