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学术讲座《二维可扩展的高功率硅基太赫兹辐射源阵列集成芯片设计》

浏览量:时间:2025-11-18

活动主题:二维可扩展的高功率硅基太赫兹辐射源阵列集成芯片设计

活动类型:学术交流

举办单位:自旋芯片与技术全国重点实验室/微纳科学与分析测试协同创新中心

活动时间:2025-11-25 10:00-12:00

活动地点:科研1号楼5030

面向群体:全院师生

主讲嘉宾:

高亮,东南大学信息科学与工程学院青年首席教授,博导,国家青年高层次人才。博士毕业于香港城市大学,后加入哥伦比亚大学CoSMIC实验室任博士后研究科学家。主要研究方向为太赫兹及毫米波集成电路设计,硅基太赫兹源,太赫兹毫米波通信传感一体化芯片技术,大规模有源相控阵芯片技术研究,片上天线技术研究等。近年来以第一作者在集成电路和微波技术领域的顶刊和顶会(ISSCCJSSC,TMTT等) 发表过多篇论文。

内容摘要:

太赫兹 (THz) 频谱 (0.3 THz -3 THz) 在未来6G高速通信、 非侵入式成像和光谱学等领域具有重要应用。在各种技术中,可量产的商用硅基工艺具有高集成度和低成本的优势,对于大规模应用的太赫兹系统开发极具吸引力。太赫兹信号源是大部分太赫兹系统不可或缺的关键器件,然而基于硅基CMOS工艺的晶体管最高振荡频率在300GHz左右,要输出400GHz以上频率的大功率太赫兹信号十分困难。而基于可扩展耦合振荡器-辐射器阵列架构的太赫兹辐射信号源可以通过空间功率合成实现高功率的太赫兹辐射。振荡器在基波频率以合适的耦合模式实现信号同步以产生相干信号。要提取的谐波信号通过集成在每个振荡器单元里的天线同相辐射到空间进行相干功率合成,从而实现较高的输出功率和高指向性的波束。本报告将着重介绍我们提出的多款太赫兹辐射源芯片,最高工作频率超过700GHz,并实现了无透镜下的瓦级等效全向辐射功率EIRP。本报告将聚焦于以下三方面:二维可拓展的耦合振荡器阵列架构;高效率的硅基太赫兹振荡器电路设计技术;高效率的太赫兹片上天线设计技术。


联系人:自旋芯片与技术全国重点实验室/微纳科学与分析测试协同创新中心,方霄

编辑:袁晓慧