
活动主题:自旋芯片与技术全国重点实验室名师讲堂第六期
活动类型:学术交流
举办单位:自旋芯片与技术全国重点实验室/微纳科学与分析测试协同创新中心
活动时间:2025-09-17 09:50-11:25
活动地点:科研一号楼 1040
面向群体:全院师生
主讲嘉宾:
姜勇,教授、博士生导师、2005年度教育部长江学者奖励计划特聘教授、2013年度国家杰出青年基金获得者、“低维功能材料”教育部创新团队负责人。现任天津工业大学校长、天津市科协副主席。还担任12个国内外学术期刊编委、国家新材料产业发展战略咨询委员会委员、中国电子学会应用磁学分会委员会常务委员、中国稀土学会固体科学与新材料专业委员会委员、中国金属学会功能材料分会委员会委员、中国物理学会磁学专业委员会委员、中国材料研究学会发展咨询委员会委员等。研究领域为自旋电子材料与器件,主要学术成果包括:自旋转移力矩(STT)研究方面,设计并实验构筑了一种反对称自旋阀器件结构,将STT翻转磁化所需临界电流密度降低了两个数量级,促进了在STT效应的实际应用,该方面的研究成果曾被《国际半导体技术蓝图》(ITRS)和10余部外文专著收录或引用;自旋轨道矩(SOT)研究方面,发现多铁材料的极化场可以用来调控铁磁薄膜的磁各向异性,进而调控SOT效应,利用反铁磁绝缘体Ni0与重金属的界面诱导出面外极化自旋流,实现了零场下的SOT诱导磁化翻转;轨道霍尔效应(OHE)研究方面,首次实验观察到逆轨道霍尔效应,并利用轨道霍尔效应实现了轻金属诱导垂直磁性薄膜和二维磁性材料的磁化翻转。至今在Nature Materials(2篇)、Nature Nanotechnology、Nature Communications等国内外学术期刊发表论文300余篇;发表英文专著(章节)3本;在国际会议做特邀报告40篇次;获授权发明专利22项。
内容摘要:
过去的几十年里,自旋电子学研究取得了诸多进展,但主要集中在电子的自旋特性上。通常情况下,由于晶体场效应的影响,固体中电子的轨道角动量会发生淬灭,因此很少被考虑。最近的研究表明,通过施加电场,可以在自旋轨道耦合较弱的材料中产生源自轨道效应的轨道流,进而产生轨道矩,操纵铁磁性薄膜材料的磁矩方向和太赫兹信号的发射。本报告将介绍轨道效应、轨道矩材料和器件等方面的国内外最新研究进展,包括轨道效应的可能机制,例如轨道霍尔效应(OHE)、轨道Rashba-Edelstein效应(OREE)、逆轨道霍尔效应(IOHE)和逆轨道Rashba-Edelstein效应(IOREE)等。我们还将重点介绍本课题组近两年在IOHE效应的实验观测、轨道矩驱动垂直磁各向异性薄膜和二维磁性材料磁化翻转等方面的研究结果。
联系人:自旋芯片与技术全国重点实验室/微纳科学与分析测试协同创新中心,徐媛
编辑:袁晓慧