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王润声，北京大学博雅特聘教授，信息科学技术学院副院长，集成电路学院设计自动化与计算系统系主任。长期从事集成电路科学与工程研究，主持国家重点研发计划项目等10余项国家级项目。已发表SCI/EI论文200余篇，其中包括50余篇专业顶级会议IEDM/ISSCCNLSI论文。应邀作IEEE国际学术会议特邀报告30余次。获中国专利授权40余项、国外专利授权20余项。相关成果被列入国际半导体技术路线指南(ITRS)。获2013年美国IEEE电子器件青年科学家奖(IEEE EDS Early Career Award)，是首位来自非美国机构的获奖者;获2014年教育部自然科学一等奖;获2015年国家自然基金委优秀青年科学基金;获2021年国家杰出青年科学基金。任IEEE Transactions on Electron Devices(专业顶级期刊)、《中国科学:信息科学》(中、英文版)、MicroelectronicsReliability、《仪器仪表学报》等学术期刊编委;任IEDM、IRPS、ISEDA等IEEE国际学术会议TPC主席、分会主席或委员40余次。任中国仪器仪表学会第十届理事会成员，中国电子学会第九届半导体与集成技术分会副主任委员，中国物理学会第四届半导体物理专业委员会委员，中国EDA开放创新合作机制(EDA2)理事长。与国内外领先的集成电路制造、设计和EDA公司深入合作，相关成果已经成功得到转化应用。

内容摘要：

随着集成电路技术进入“后摩尔定律时代”(简称后摩尔时代)，为了突破”算力瓶颈”学术界与工业界认识到，必须在底层的材料、工艺和器件，顶层的系统、架构和电路，以及共性的EDA等多个层面共同发力。面向未来计算应用，后摩尔时代的研究范式将从能效、复杂度、容错性这三个维度展开，在上述层面协同创新。本报告的第一部分首先简要介绍整体发展趋势，随后从上述三个维度展开讨论;国际上在能效和复杂度两个方面的研究较多，本报告重点强调三维集成(包括芯片级堆叠和晶体管级堆叠)的发展趋势;然后介绍经常被忽略的容错性这一方面的研究进展，并提出探讨与思考，以抛砖引玉。接着，报告的第二部分重点介绍晶体管堆的三维集成技术，包括其概念起源、国内外研究进展，其中特别介绍北大团队提出的可以超越CFET的超微缩倒装堆叠晶体管(FlipFET，缩写FFET)技术，并展望未来充分结合芯片堆和晶体管堆的"真三维”技术:倒装三维集成(flip 3D)以及”泛集成”(Hyper 3D)。

主讲嘉宾：

黄鹏，北京大学集成电路学院研究员，博雅青年学者，IEEE高级会员。分别于2010年和2015年获得西安电子科技大学学士学位和北京大学博士学位。主要研究方向为基于RRAM、FDSOI等新型器件的新型计算架构，包括存算一体、感存算一体和神经形态计算等。在NatureCommunications、Science Advances、IEDM、VLSI等高水平期刊和会议发表第一/通讯作者论文60余篇，获授权专利30余项，参与英文专著章节撰写2部。曾获2014年IEEE EDS博士生奖学金、2019年教育部自然科学二等奖，2020年入选国家自然科学基金优秀青年科学基金项目。担任未来计算研讨会、IEEE EDTM、CSTIC等国际会议程序委员会委员。