赵建华，博士，研究员，博士生导师，2023年中国科学院院士增选有效候选人，获国务院政府特殊津贴。
赵建华本科、硕士毕业于吉林大学，1999年在中国科学院物理研究所获理学博士学位。1999-2000年在中国科学院半导体研究所从事博士后研究，2000-2002年赴日本东北大学开展博士后研究。
1988-1996年曾在燕山大学材料科学与工程学院任教，2002-2024年任中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员，2015年至2024年9月任中国科学院大学岗位教授，2024年10月任北航国新院研究员、中国科学院半导体所客座教授。
赵建华作为科技部重大科学研究计划项目首席科学家，主持过10余项国家自然科学基金委、科技部和中国科学院资助的重点、重大项目。
现担任国际纯粹与应用物理学联合会（IUPAP）磁学专业委员会委员，并当选下一届该委员会副主任（2025-2027年）。同时担任国际磁学与磁性材料顾问委员会（MMM Adcom）委员、香港研究资助局（RGC）物理科学组成员、中国物理学会磁学专业委员会委员、中国物理学会女物理工作者委员会委员，以及《中国科学》、《国家科学评论》、《物理》、《物理学进展》编委等职务。
赵建华长期从事半导体自旋电子学和低维半导体物理研究，率团队取得了系统的创新性成果。迄今在包括Nature子刊、Phys. Rev. Lett.、Nano Lett.和Adv. Mater.在内的重要学术刊物上发表文章300余篇，在国内外会议上做邀请报告130余次。
荣获亚洲磁学联盟奖(AUMS Award)、中国物理学会黄昆物理奖、中国科学院优秀研究生指导教师奖、国家技术发明二等奖等荣誉。培养博士30余人，约20人次获国家奖学金、中国科学院院长奖学金优秀奖、中国科学院优秀博士学位论文、北京市优秀毕业生和中国科学院半导体所所长奖学金等奖励。
代表性成果：
(1) 发展了提高磁性半导体居里温度的方法，创下并保持典型磁性半导体(Ga,Mn)As居里温度为200K的国际最高纪录；
(2) 观测到轨道双通道近藤（2CK）效应的非费米液体行为等完整的输运特征，首次实验证实了轨道2CK效应的理论预言，解决了量子多体物理领域36年的激烈争议；
(3) 制备出与半导体结构以及亚10纳米节点工艺兼容的超大垂直磁各向异性Mn基二元合金单晶薄膜，为研发新型超高密度自旋存储器以及磁敏传感器提供了重要材料体系；
(4) 解决了高品质窄禁带半导体InAs和InSb低维量子结构及其与超导构成的异质结构生长动力学难题，为新型室温光电器件、自旋量子比特和拓扑量子比特研究提供了系列优质材料等。
