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学术讲座《二维反铁磁半导体的磁光耦合与自旋光电子器件》

浏览量:时间:2025-11-11

活动主题:二维反铁磁半导体的磁光耦合与自旋光电子器件

活动类型:学术交流

举办单位:自旋芯片与技术全国重点实验室/微纳科学与分析测试协同创新中心

活动时间:2025-11-14 10:00-11:30

活动地点:教学1号楼3001

面向群体:全院师生

主讲嘉宾:

刘盛,武汉大学特聘副研究员,湖北省海外高层次人才。2019年博士毕业于新加坡南洋理工大学(NTU)。2019-2023年先后在新加坡南洋理工大学、日本冲绳科学技术大学院大学(OIST)从事博士后研究。2024年加入武汉大学物理科学与技术学院。主要从事二维材料的光谱与光电子学研究以及二维范德华晶体的生长与设计。在二维材料的光电物性及准粒子行为调控等方面取得系列原创性成果。共发表学术论文40余篇(引用超100次9篇),其中第一(含共一)和通讯作者文章13篇,包括PRL, Sci. Adv.,Adv. Mater.,ACS Nano等。总被引3200余次,H因子29。

内容摘要:

随着2016~17年二维磁性材料的发现,二维磁性材料家族迅速发展壮大。二维尺寸效应与磁各向异性等特性为其带来区别于传统磁性材料的层内/层间铁磁、反铁磁序乃至拓扑磁序;同时大部分二维磁性材料兼具半导体特性与光学响应,使得“磁”与“光”在这一体系中深度耦合、从而以多种响应机制覆盖从GHz到UV的超宽波谱,发展出独特的自旋光电子技术路线。报告将聚焦二维磁性反铁磁半导体材料,汇报我们在THz频率的磁振子-光学声子强耦合方面的研究与探索,包括零磁场下强耦合与声子自旋的实现等;同时,我们基于二维磁性半导体开发了磁场调控的LED器件,其电致发光的发光强度、波长和偏振态可通过改变磁场被调制,这些结果为柔性自旋光电子学研究及器件开发开辟了新的研究路径。

联系人:自旋芯片与技术全国重点实验室/微纳科学与分析测试协同创新中心,张伟

编辑:袁晓慧